中走絲割鋁,縱觀國內(nèi)外關(guān)于小量程電容式壓力傳感器的報道,傳感器的空腔間隙和可動極板厚度都很小;為了滿足小量程壓力測量對靈敏度和線性度的要求,在減薄壓敏極板厚度的同時會相應(yīng)縮小芯片尺寸。相關(guān)研究集中在傳感器制備工藝的改良、傳感器結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新以及測量電路的優(yōu)化三個方面。
中走絲割鋁,傳感器工藝改良,工藝上控制超薄膜片的內(nèi)應(yīng)力很難。為了解決這個問題,多晶硅被選擇用來作為小量程MEMS電容式壓力傳感器的可動極板材料。選用多晶硅有如下優(yōu)點:
典型的多晶硅是通過LPCVD(低壓化學(xué)氣相淀積)形成的,淀積厚度可以控制得很小,很容易形成超薄的可動極板;
中走絲割鋁,經(jīng)過退火處理,多晶硅可以形成低應(yīng)力的薄膜,削弱可動極板內(nèi)應(yīng)力對小量程測壓的影響;摻雜之后的多晶硅導(dǎo)電,使壓敏極板有固定電勢,無需引入額外的電極。此外,薄膜淀積工藝與犧牲層釋放工藝也被廣泛用來制作間隙很小的空腔。在此基礎(chǔ)之上,人們不斷摸索,以求工藝的合理與簡化。